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  • Photonic Semiconductor INNOVATION AND VALUE Innovation comes from a different perspective Home>Research>InGaAs APD
  • InGaAs APD InP 기판에 격자 정합된 InGaAs Photodiode는 수광영역이 900 nm ~ 1700 nm 파장에 걸쳐 수광이 가능하고 고속구동이 가능하여 광통신 수광소자로 널리 사용되고 있습니다.

    포셈에서는 레이저 다이오드의 모니터링용 및 고속구동 수광소자를 개발하여 제품화 하고 있습니다. 최근 25Gbps 를 기반으로 50G, 100G, 200G 광통신 트랜시버가 상용화되고 있어 당사에서도 25Gbps InGaAs PIN 및 APD(Avalanche Photodiode) 수광소자를 개발하고 있습니다.

    APD 는 소자에 고전압의 역전압을 인가하여 입사된 광에 의해 생성된 전자.정공을 증폭하여 신호를 내보내 줌으로써 미미한 광신호 입사에도 유효한 신호를 생성할 수 있는 소자입니다.

    주로 80km 이상의 장거리 광전송이나 가입자망의 다중 분기가 일어나는 PON(Passive Optical Network) 시스템에 적용되고 있습니다.

    뿐만 아니라 시각안전용 Lidar(Light Detection And Ranging) 시스템 및 SWIR(Short Wavelength Infra Red) 감지기에 1550nm 파장의 레이저가 사용되고 있고 미래 자율주행자동차나 산업용 3차원 영상시스템에 APD 의 적용가능성이 커지고 있어 이 분야에 대한 제품 개발이 진행되고 있습니다.

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